据业内人士透露,主要NAND芯片供应商将在2021年第四季度提高176层3D NAND芯片产量,这可能会在明年上半年带来供应方面的变数。
据《电子时报》援引消息人士称,美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产,SK海力士紧随其后,在第四季度开始量产。
三星电子也将在平泽第3工厂(P3)安装新的3D NAND芯片生产线,以提高176层3D NAND芯片产量,届时将拥有4万-5万片的月产能。
该人士认为,明年手机和消费者SSD将越来越多地采用176层3D NAND闪存。到2022年底,超过25%的NAND闪存位供应将是176层3D NAND闪存芯片,高于2021年第四季度的近5%。
此外,该消息人士指出,自第四季度以来,电源管理IC和闪存设备控制器芯片的短缺情况一直在改善,这鼓励NAND闪存芯片制造商扩大产量。预计到2022年上半年,NAND闪存的供应将超过需求。
不过,因主要NAND闪存芯片制造商仍对产能扩张持谨慎态度,该行业明年的整体供应增幅将略高于30%,略高于需求增长。三星和SK海力士今年的位供应量增幅都将超过整体位供应量增幅,预计在37%-39%。